ICS 31.200 L 55 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 28274—2012 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则 Silicon-based MEMS fabrication technology- The basic regulation of layout design 2012-05-11发布 2012-12-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T28274—2012 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336）提出并归口。 本标准起草单位：北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上 海微系统与信息技术研究所、西北工业大学。 本标准主要起草人：张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、乔大勇。 GB/T28274—2012 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则 1范围 本标准规定了微结构加工时，光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则 本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积（CVD）、物理气相淀积（PVD）、离 子注入、反应离子刻蚀（RIE）、氢氧化钾（KOH)腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T26111一2010微机电系统（MEMS）技术术语 3术语和定义 GB/T26111一2010界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 双面光刻（ double side mask align 在基片的一面（A面），制备与该基片另一面（B面）已有光刻图形或痕迹的有一定对准关系的图形 的过程。 3.2 亮版lightmask 大面积透光的光刻版。 3. 3 暗版 darkmask 大面积不透光的光刻版。 3. 4 对准标记 align mark 用于对准不同工序形成的图形的标记。 4光刻对准和键合对准方法 4.1单面光刻对准方法 通过使用光刻机等工具使光刻版上图形与基片上对应的图形对准，其工作过程如图1所示 单面光刻对准是在有图形基片表面涂敷光刻胶，使用光刻设备将光刻版图形与基片上已有图形对 准后，再通过曝光和显影将基片上光刻胶处理成与光刻版图形一致，且与基片上已有图形有对准关系的 图形。 1