GB-T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

ICS 29.045 H 80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T24574-2009 硅单晶中Ⅱ-V族杂质的光致发光测试方法 Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for II -V impurities 2009-10-30发布 2010-06-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会 GB/T24574—2009 前言本标准修改采用SEMIMF1389-0704《Ⅲ-V号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法》。本标准对SEMIMF1389-0704格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMIMF1389-0704章条对照一览表。并对SEMIMF1389-0704条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。本标准与SEMIMF1389-0704相比，主要技术差异如下：删除了SEMIMF1389-0704中对砷铝含量测定的内容；将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准SEMIMF1389-0704中的精度和偏差部分，并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A 本标准的附录A和附录B为资料性附录。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。本标准主要起草人：李静、何秀坤、蔺娴。

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本文档由人生无常于 2024-06-30 16:14:15上传分享