GB-T 7576-1998 半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

ICS _31. 080. 30 L 42 中华人民共和国国家标准 GB/T 7576--1998 idt IEC 747-7-4:1991 QC750107 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 Semiconductor devices-Discrete devices Part 7: Bipolar transistors Section Four-Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification 1998- 11-17 发布 1999-06-01实施国家质量技术监督局发布 GB/T 75761998 前言本空白规范等同采用1991年发布的IEC747-7-4《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》第一版。由于该规范较原国家标准更能表征该种器件的特性，因此，对原国家标准GB/T7576- 1987做了修订，使之与国际标准一致。本规范与前版的主要差别是增加了含有害物质的说明及发射极-基极反向截止电流；调整了引用总规范及分规范的标准号；删去B9分组高温贮存。除非另有规定，本标准第8章中引用的条号对应于GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》（IEC747-10：1991)的条号，测试方法引自GB/T4587一1994《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》(IEC747-7：1988），试验方法引自GB/T4937一1995《半导体器件机械和气候试验方法》（IEC749：1984）。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范起草单位：电子工业部标准化研究所。本规范主要起草人：蔡仁明。

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