(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202221736746.5 (22)申请日 2022.07.05 (73)专利权人 快克智能装备股份有限公司 地址 213167 江苏省常州市武进高新 技术 产业开发区凤翔路1 1号 (72)发明人 濮运　石文涛　赵贺　 (74)专利代理 机构 北京锦信诚泰知识产权代理 有限公司 1 1813 专利代理师 丁高峰 (51)Int.Cl. B23K 26/21(2014.01) B23K 26/70(2014.01) (54)实用新型名称 一种半导体 激光恒温焊 接控制系统及装置 (57)摘要 本实用新型公开了一种半导体激光恒温焊 接控制系统及装置， 包括MCU、 温度采集电路、 功 率控制电路和红外测温仪， 红外测温仪测量激光 焊接处的温度， 红外测温仪的输出端连接温度采 集电路的输入端， 温度采集电路的输出端连接 MCU， 功率控制电路的输入端连接MCU， 功率控制 电路的输 出端外接激光发生器。 本实用新型使用 红外测温仪， 采用非接触式红外测温， 基于检测 到的温度， 通过功率控制电路控制激光发生器， 可实现激光恒温焊接， 保证了产品焊接的一致性 和质量。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 218080949 U 2022.12.20 CN 218080949 U 1.一种半导体激光恒温焊接控制系统， 其特征在于， 包括MCU、 温度采集电路、 功率控制 电路和红外测温仪， 红外测温仪测 量激光焊接处的温度， 红外测温仪的输出端连接温度采 集电路的输入端， 温度采集电路的输出端 连接MCU， 功 率控制电路的输入端连接MCU， 功 率控 制电路的输出端外 接激光发生器； 功率控制电路用以接收MCU输出的激光控制信号， 控制激光发生器； 在功率控制电路 中， 激光控制信号依次经过运放U2和运放U3放大后输出， 运放U2和运放U3的放大匹配电阻 根据激光发生器特性 参数适配调校。 2.根据权利要求1所述的一种半导体激光恒温焊接控制系统， 其特征在于， 温度采集电 路包括电阻R 1~R3、 电容C1~C4和运放U1 ； 电阻R1的一端和电阻R2的一端连接温度采集电路正输入端TEMP_A， 电阻R1的另一端连 接温度采集电路负输入端TEMP_B和地， 电阻R2的另一端和电容C1的一端连接运放U1的3引 脚， 电容C1的另一端接地， 运放U1的7引脚通过电容C2接地， 运放U1的4引脚通过电容C3接 地， 运放U1的6引脚连接2引脚和电阻R3的一端， 电阻R3的另一端通过电容C4接地， 并且连接 MCU。 3.根据权利要求1所述的一种半导体激光恒温焊接控制系统， 其特征在于， 功率控制电 路还包括电阻R4~R9和电容C 5； 电阻R4的一端接地， 电阻R4的另一端连接MCU和电阻R6的一端， 电阻R6的另一端连接运 放U2的3引脚， 运放U2的3引脚通过电容C5接地， 运放U2的2引脚通过电阻R5接地， 运放U2的2 引脚通过电阻R7连接1引脚， 运放U2的1引脚通过电阻R8连接运放U3的5引脚， 运放U3的6引 脚连接7引脚， 运 放U3的7引脚通过电阻R9外 接激光发生器。 4.根据权利要求1所述的一种半导体激光恒温焊接控制系统， 其特征在于， 还包括通信 接口， MCU通过通信接口外 接上位机 。 5.根据权利要求1所述的一种半导体激光恒温焊接控制系统， 其特征在于， 还包括隔离 IO电路， 隔离IO电路连接 MCU， 用以M CU与外围设备输入输出隔离交 互。 6.根据权利要求1所述的一种半导体激光恒温焊接控制系统， 其特征在于， 还包括与 MCU连接的数据存 储器。 7.根据权利要求6所述的一种半导体激光恒温焊接控制系统， 其特征在于， 数据存储器 为非易失性数据存 储器。 8.根据权利要求1~7任意一项所述的一种半导体激光恒温焊接控制系统， 其特征在于， MCU的型号 为STM32F429。 9.根据权利要求1~7任意一项所述的一种半导体激光恒温焊接控制系统， 其特征在于， 还包括为各用电部件供电的电源。 10.一种半导体激光恒温焊接装置， 其特征在于， 包括权利要求1~8任意一项所述的半 导体激光恒温焊接控制系统。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 218080949 U 2一种半导体激光恒 温焊接控制系统及装 置 技术领域 [0001]本实用新型涉及一种半导体激光恒温焊接控制系统及装置， 属于半导体激光焊接 领域。 背景技术 [0002]专利CN210626996U公开了一种 大功率激光器恒温控制系统， 该系统根据PID算法 输出控制信号来维持大功率激光器系统在恒定的温度范围， 但在测温电路中需要接触热 源， 而接触式测温容易干扰被测温度场的状态， 测温仪本身也可能受温度场的损伤， 导致恒 温的精确性。 并且， 其采用常规控温方式由单片 机输出不同占空比的PWM控制 信号控制激光 器功率， 需要选定适配控制对象的脉冲频率， 此参数一定程度决定了控制对象输出的效果， 因此需要在实践中反复调教测试去进行不同频率的适配， 增加了控制的不确定性和复杂 性。 实用新型内容 [0003]本实用新型提供了一种半导体激光恒温焊接控制系统及装置， 解决了背景技术中 披露的问题。 [0004]为了解决上述 技术问题， 本实用新型 所采用的技 术方案是： [0005]一种半导体激光恒温焊接控制系统， 包括MCU、 温度采集电路、 功率控制电路和红 外测温仪， 红外测温仪测量激光焊接处的温度， 红外测温仪的输出端连接温度采集电路的 输入端， 温度采集电路的输出端连接MCU， 功率控制电路的输入端 连接MCU， 功 率控制电路的 输出端外 接激光发生器。 [0006]温度采集电路包括电阻R 1~R3、 电容C1~C4和运放U1； [0007]电阻R1的一端和电阻R2的一端连接 温度采集电路正输入端TEMP_A， 电阻R1的另一 端连接温度采集电路负 输入端TEMP_B和地， 电阻R2的另一端和电容C1的一端 连接运放U1的 3引脚， 电容C1的另一端接地， 运放U1的7引脚通过电容C2接地， 运放U1的4引脚通过电容C3 接地， 运放U1的6引脚连接2引脚和电阻R3的一端， 电阻R3的另一端通过电容C4接地， 并且连 接MCU。 [0008]功率控制电路包括电阻R4~R9、 运放U2~U3和电容C 5； [0009]电阻R4的一端接地， 电阻R4的另一端连接MCU和电阻R6的一端， 电阻R6的另一端连 接运放U2的3引脚， 运放U2的3引脚通过电容C5接地， 运放U2的2引脚通过电阻R5接地， 运放 U2的2引脚通过电阻R7连接1引脚， 运放U2的1引脚通过电阻R8连接运放U3的5引脚， 运放U3 的6引脚连接7引脚， 运 放U3的7引脚通过电阻R9外 接激光发生器。 [0010]还包括通信接口， M CU通过通信接口外 接上位机 。 [0011]还包括隔离IO电路， 隔离IO电路连接 MCU， 用以M CU与外围设备输入输出隔离交 互。 [0012]还包括与MCU连接的数据存 储器。 [0013]数据存储器为非易失性数据存 储器。说　明　书 1/4 页 3 CN 218080949 U 3