ICS 25.180.10 CCSK61 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T10067.417—2023 电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置 Basic specifications for electroheating and electromagnetic processing installationsPart 417:Silicon carbide crystal growthinstallations 2023-05-23发布 2023-12-01实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会

GB-T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置

文档预览

中文文档 19 页 50 下载 1000 浏览 0 评论 309 收藏 3.0分

赞助2.5元下载(无需注册)

温馨提示：本文档共19页，可预览 3 页，如浏览全部内容或当前文档出现乱码,可开通会员下载原始文档

GB-T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置第 1 页

GB-T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置第 2 页

GB-T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置第 3 页

下载文档到电脑，方便使用

赞助2.5元下载

本文档由人生无常于 2024-03-17 05:24:17上传分享

下载原文档(1.3 MB)

GB-T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置

GB-T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置